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　　金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市振华微电子有限公司申请一项名为“优化NiCr合金电阻温度系数的方法”的专利，公开号CN120417751A，申请日期为2024年02月。

　　专利摘要显示，本申请提出一种优化NiCr合金电阻温度系数的方法，该方法采用薄膜工艺生产，选定一定厚度的绝缘衬底，首先进入金属化工序，在NiCr金属化程序中通过加入一定量的掺杂气体，并改变氩气的含量制备出一系列的NiCr合金薄膜样品，然后在光刻工序中，使用光刻板光刻出电极图形，经过刻蚀工序后进行二次光刻得到电阻图形，接着将刻有图形的绝缘基板置于一定温度的真空条件下热退火一段时间，经热退火处理后，将试验品放置在热板中进行不同温度下的阻值测试，最后对不同氩气含量下制备的金属薄膜电阻在不同温度下使用，并计算TCR，比较TCR，得到优化的NiCr合金薄膜电阻，通过调整氩气含量在绝缘衬底上沉积NiCr薄膜，其电阻温度系数能够在已有的性能上得到进一步优化。

　　天眼查资料显示，深圳市振华微电子有限公司，成立于1994年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8120万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市振华微电子有限公司参与招投标项目450次，财产线条，此外企业还拥有行政许可13个。

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